N沟MOSF管IRLL2703
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRLL2703 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | CC/恒流 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 2.4（V） | |
| 跨导： | 250（μS） | |
| 极间电容： | 530（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 390（mA） | |
| 耗散功率： | 1000（mW） |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 45 毫欧 @ 3.9A, 10V |
| 30V |
| 3.9A |
| 2.4V @ 250µA |
| 14nC @ 5V |
| 530pF @ 25V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| TO-261-4, TO-261AA |
| 带卷 (TR) |
| SOT-223 |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
N沟MOSF管IRL630S
信息内容：TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRL630SPBF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR(F,L,Z) Series Side 1IR(F,L,Z) Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 5.4A, 5V漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9AId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1100pF @ 25V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装管件供应商设备封装D2PAK"
N沟MOSF管FDD6680S
信息内容：TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表FDD6680AS产品相片TO-252-2产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 12.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C55AId 时的 Vgs(th)（）3V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 15V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1200pF @ 15V功率 - 1.3W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
