12+深圳公司现货IOR绝缘栅型SOP8原装IRF7353D1TRPBF场效应管
| 价 格： | 1.10 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF7353D1TRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 2W | |
| 电流 - 连续漏极： | 6.5A | |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 30V |
参数
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）6.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）32 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 650pF @ 25V
功率 - 值 2W
描述
FETKY家庭的共同封装的MOSFET和肖特基二极管提供
设计师的创新，电路板节省空间的解决方案，为开关稳压器
和电源管理应用。第五代HEXFET功率
MOSFET采用先进的加工技术，以实现极低的
导通电阻每硅片面积。Combinining技术
国际整流器公司在低正向压降的肖特基整流器结果
非常有效的设备适合于使用在各种各样的便携式
电子应用。
SO-8已被修改通过定制引线框架
热特性增强。SO-8封装是专为汽
阶段，红外线或波峰焊技术。
封装图片展示
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12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF8714TRPBF场效应管
信息内容：参数FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）14A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）8.7 毫欧 @ 14A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 2.35V @ 25µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 12nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1020pF @ 15V功率 - 值2.5W应用控制MOSFET的同步降压转换器用于笔记本电脑处理器电源控制MOSFET，用于隔离型DC-DC在网络系统的转换器优点极低的栅极电荷非常低的RDS（ON），在4.5VVGS超低栅极阻抗充分界定雪崩电压和电流20VVGS。门等100％测试的RG无铅描述IRF8714PbF采用了的HEXFET功率MOSFET硅技术进入工业标准的SO-8封装。IRF8714PbF参数进行了优化关键的同步降压操作的Rds（on）和栅极电荷以减少传导和开关损耗。总额减少损失，使这种产品非常适合高效率的DC-DC电源转换器，一代的处理器的笔记本电脑和网通的应用程序。封装图片展示dzsc/18/8776/18877627.jpgdzsc/18/8776/18877627.jpgdzsc/18/8776/18877627.jpgdzsc/18/8776/18877627.jpgdzsc/18/8776/18877627.jpgdzsc/18/8776/18877627.jpg"
12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7463TRPBF场效应管
信息内容：参数FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 14A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 8 毫欧 @ 14A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 51nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3150pF @ 15V功率 - 值 2.5W应用高频率DC-DC隔离采用同步整流转换器电信和工业用途高频降压转换器计算机处理器电源无铅优点超低栅极阻抗非常低的RDS（ON），在4.5VVGS充分界定雪崩电压和电流封装图片展示dzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpg"
