12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7463TRPBF场效应管
| 价 格： | 0.90 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF7463TRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 2.5W | |
| 电流 - 连续漏极： | 14A | |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 30V |
参数
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 14A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 8 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 51nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3150pF @ 15V
功率 - 值 2.5W
应用
高频率DC-DC隔离
采用同步整流转换器
电信和工业用途
高频降压转换器
计算机处理器电源
无铅
优点
超低栅极阻抗
非常低的RDS（ON），在4.5VVGS
充分界定雪崩电压
和电流
封装图片展示
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- 所属城市：广东 深圳
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深圳公司现货IR单N沟道MOS管SOP-8原装IRF7807VTRPBF场效应管
信息内容：•N通道特定应用的MOSFET •适用于移动式DC-DC转换器 •低传导损耗 •低开关损耗 100％的Rg测试 无铅描述这种新的设备采用了先进的HEXFET功率 MOSFET技术，实现了前所未有的 导通电阻和栅极电荷平衡。 “ 的导通损耗和开关损耗的减少使 高效率DC-DC转换器的理想选择， 一代的移动处理器供电。 一对IRF7807V设备提供的成本/ 高性能的解决方案为系统电压，如 3.3V和5V。公司简介深圳四海联创电子科技有限公司是一家分销国内外知名品牌电子元器件的科技公司。本公司以“优越的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”，常年备有大量全新原装现货和良好的进货渠道，品种齐全，具有特强的能力为各大客户和厂商进行综合性电子元器件配套服务。 公司经营产品广泛：存储IC、通讯IC、驱动IC、放大IC、内存、闪存、等IC集成电路。开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小中功率管等系列贴片二、三极管。钽电容、电容、电阻、电感、磁珠、发光管等各系列贴片电子元件。 经营品牌：MITSUMI、FUJITSU、ATMEL.RICOH、NEC、SII、ON、AGAMEM、P...
2012+深圳公司现货仙童DC/DC变换器SOP-8原装FDS6692场效应管
信息内容：FDS669230V N沟道PowerTrenchMOSFET应用·DC / DC变换器概述N-沟道MOSFET而设计专门用于提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或常规开关PWM控制器。它已被优化为低栅极电荷，低RDS（ON）和快速开关速度。特点·12A，30 V的RDS（ON）=12毫瓦@ VGS= 10V。 RDS（ON）= 14.5毫瓦@ VGS= 4.5 V·高性能沟道技术极低RDS（ON）·低栅极电荷（18nC典型）高功率和电流处理能力图片展示dzsc/18/9930/18993035.jpgdzsc/18/9930/18993035.jpgdzsc/18/9930/18993035.jpgdzsc/18/9930/18993035.jpgdzsc/18/9930/18993035.jpgdzsc/18/9930/18993035.jpgdzsc/18/9930/18993035.jpg
