12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF8714TRPBF场效应管
| 价 格： | 1.10 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF8714TRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 2.5W | |
| 电流 - 连续漏极： | 14A | |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 30V |
参数
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）14A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）8.7 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1020pF @ 15V
功率 - 值2.5W
应用
控制MOSFET的同步降压
转换器用于笔记本电脑
处理器电源
控制MOSFET，用于隔离型DC-DC
在网络系统的转换器
优点
极低的栅极电荷
非常低的RDS（ON），在4.5VVGS
超低栅极阻抗
充分界定雪崩电压
和电流
20VVGS。门等
100％测试的RG
无铅
描述
IRF8714PbF采用了的HEXFET功率MOSFET硅技术进入
工业标准的SO-8封装。IRF8714PbF参数进行了优化
关键的同步降压操作的Rds（on）和栅极电荷以减少传导
和开关损耗。总额减少损失，使这种产品非常适合高效率的DC-DC
电源转换器，一代的处理器的笔记本电脑和网通的应用程序。
封装图片展示
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12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7463TRPBF场效应管
信息内容：参数FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 14A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 8 毫欧 @ 14A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 51nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3150pF @ 15V功率 - 值 2.5W应用高频率DC-DC隔离采用同步整流转换器电信和工业用途高频降压转换器计算机处理器电源无铅优点超低栅极阻抗非常低的RDS（ON），在4.5VVGS充分界定雪崩电压和电流封装图片展示dzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpgdzsc/18/8778/18877832.jpg"
深圳公司现货IR单N沟道MOS管SOP-8原装IRF7807VTRPBF场效应管
信息内容：•N通道特定应用的MOSFET •适用于移动式DC-DC转换器 •低传导损耗 •低开关损耗 100％的Rg测试 无铅描述这种新的设备采用了先进的HEXFET功率 MOSFET技术，实现了前所未有的 导通电阻和栅极电荷平衡。 “ 的导通损耗和开关损耗的减少使 高效率DC-DC转换器的理想选择， 一代的移动处理器供电。 一对IRF7807V设备提供的成本/ 高性能的解决方案为系统电压，如 3.3V和5V。公司简介深圳四海联创电子科技有限公司是一家分销国内外知名品牌电子元器件的科技公司。本公司以“优越的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”，常年备有大量全新原装现货和良好的进货渠道，品种齐全，具有特强的能力为各大客户和厂商进行综合性电子元器件配套服务。 公司经营产品广泛：存储IC、通讯IC、驱动IC、放大IC、内存、闪存、等IC集成电路。开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小中功率管等系列贴片二、三极管。钽电容、电容、电阻、电感、磁珠、发光管等各系列贴片电子元件。 经营品牌：MITSUMI、FUJITSU、ATMEL.RICOH、NEC、SII、ON、AGAMEM、P...
