供应MOS场效应管芯片、晶圆、裸片1N60
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | WAFER/裸芯片 | |
| 型号/规格： | 1N60 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | 进口 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆1N60，质量保证。
The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to
have better characteristics, such as fast switching time, low gate
charge, low on-state resistance and have a high rugged
avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at
high speed switching applications in power supplies, PWM motor
controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
我司可提供相关型号详细资料。
我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
- 所属城市：广东
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘明
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供应 双向可控硅芯片、裸片、晶圆
信息内容：Wafer Diameter ----100mmWafer Thickness -----(290 ± 20)μmDie Size -----(1.5 × 1.5)mmScribe Line Width---- 80μmGate Pad------ (220 × 220)μmCathode Pad -----(445 × 445)μmMetallizationPlanar Side -------Al (2.0 – 2.2)μmCollector Side----- Ti (0.1 ± 0.02)μmNi------ (0.5 ± 0.10)μmAg ------(0.6 ± 0.10)μmRepetitive Peak Off-State Voltages（ VDRM,VRRM） ----600 /800VRMS On-State Current IT (RMS) ------ 1APeak Non-repetitive Surge Current ITSM ------ 8A( Sine Wave, f = 50Hz,t = 20ms, Tj =25°С)
供应MOS场效应管芯片/晶圆/裸片3410
信息内容：我司经销MOS场效应管芯片/晶圆3410，质量保证。芯片基本性质：芯片型号Model3410 芯片尺寸：3.19*3.96 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电极金属铝 背面电极金属银 VDSS100V RDS(on)0.1Ω(max) ID17A 厂家参考封装形式：芯片型号推荐封装形式封装类型 3410 TO-251 TO-252塑封 我公司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
