N沟MOSF管IRLML2803
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌/商标： | Federick美国 | |
| 型号/规格： | IRLML2803 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 极间电容： | 85（pF） | |
| 漏极电流： | 12（mA） | |
| 耗散功率： | 540（mW） |
SOT-23 12V-400V, N沟MOSFE
| IRLML2803PbF |
| SOT-23-3 Pkg |
| IRML Series Top |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 250 毫欧 @ 910mA, 10V |
| 30V |
| 1V @ 250µA |
| 5nC @ 10V |
| 1.2A |
| 85pF @ 25V |
| 540mW |
| 表面贴装 |
| SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
| 带卷 (TR) |
| 1377 (CN091-10 PDF) |
| IRLML2803PBFTR |
T
深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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信息内容：类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 3.9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.9AId 时的 Vgs(th)（）2.4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)530pF @ 25V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4, TO-261AA包装带卷 (TR)供应商设备封装SOT-223"
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