N沟MOSF管IRFR2307Z
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFR2307Z | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 开启电压： | 75（V） | |
| 夹断电压： | 4（V） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET
| IRFR2307ZPbF, IRFU2307ZPbF |
| TO-252-2 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 16 毫欧 @ 32A, 10V |
| 75V |
| 42A |
| 4V @ 100µA |
| 75nC @ 10V |
| 2190pF @ 25V |
| 110W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRLML2803
信息内容：SOT-23 12V-400V, N沟MOSFE数据列表IRLML2803PbF产品相片SOT-23-3 Pkg产品目录绘图IRML Series Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C250 毫欧 @ 910mA, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)（）1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.2A在 Vds 时的输入电容(Ciss)85pF @ 25V功率 - 540mW安装类型表面贴装封装/外壳SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3包装带卷 (TR)产品目录页面1377 (CN091-10 PDF)其它名称IRLML2803PBFTRT
N沟MOSF管IRLL2703
信息内容：类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 3.9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.9AId 时的 Vgs(th)（）2.4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)530pF @ 25V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4, TO-261AA包装带卷 (TR)供应商设备封装SOT-223"
