N沟MOSF管IRF510S
| 价 格： | 6.00 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | IRF510S | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 10（V） | |
| 夹断电压： | 25（V） |
TO-263(D2-PAK)
| IRF510SPBF |
| D2PAK, TO-263 |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 540 毫欧 @ 3.4A, 10V |
| 100V |
| 5.6A |
| 4V @ 250µA |
| 8.3nC @ 10V |
| 180pF @ 25V |
| 3.7W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
| 管件 |
| D2PAK |
12V-400V, N沟MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFR2307Z
信息内容：TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRFR2307ZPbF, IRFU2307ZPbF产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 32A, 10V漏极至源极电压(Vdss)75V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2190pF @ 25V功率 - 110W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
N沟MOSF管IRLML2803
信息内容：SOT-23 12V-400V, N沟MOSFE数据列表IRLML2803PbF产品相片SOT-23-3 Pkg产品目录绘图IRML Series Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C250 毫欧 @ 910mA, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)（）1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.2A在 Vds 时的输入电容(Ciss)85pF @ 25V功率 - 540mW安装类型表面贴装封装/外壳SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3包装带卷 (TR)产品目录页面1377 (CN091-10 PDF)其它名称IRLML2803PBFTRT
