价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | STI美国半导体技术 | |
型号/规格: | STP14NK50Z | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
跨导: | 12000(μS) | |
极间电容: | 2000(pF) | |
漏极电流: | 14000(mA) | |
耗散功率: | 150000(mW) |
N沟道500V-0.34ohm-14A齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
•开启延迟时间:24ns
•关断延迟时间:54ns
应用:
大电流、高速开关
护士理想用于离线电力供应,
适配器和全氟化碳的
照明
"
•工作温度范围:-40 ~ 85°C •封装:IPAK 广泛用于PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA显卡、STB机顶盒、主板、锂电池保护(PCM/BP)等产品充电器,电源,负载开头,逆变器等"
•VDS=100V•ID=76A•RDS(ON)=0.013Ω•耗散功率:PD=188W @TC=25°C•储存温度范围:-55 ~ 175°C "