价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | NTB6410AN | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 4(V) | |
夹断电压: | 20(V) | |
跨导: | 40000(μS) | |
极间电容: | 4500(pF) | |
漏极电流: | 76000(mA) | |
耗散功率: | 188000(mW) |
•VDS=100V
•ID=76A
•RDS(ON)=0.013Ω
•耗散功率:PD=188W @TC=25°C
•储存温度范围:-55 ~ 175°C
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• VDS=950V • ID=15.5A• 导通电阻:R<0.33Ω• 总耗散功率:210W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•导通电阻:RDS(on) = 0.046Ω •封装形式:TO-220AB