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供应 ON安森美MOS——NTB6410AN 原装

价 格: 面议
品牌/商标:0N/安森美
型号/规格:NTB6410AN
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:4(V)
夹断电压:20(V)
跨导:40000(μS)
极间电容:4500(pF)
漏极电流:76000(mA)
耗散功率:188000(mW)

•VDS=100V

•ID=76A

•RDS(ON)=0.013Ω

•耗散功率:PD=188W   @TC=25°C

•储存温度范围:-55 ~ 175°C

 

 

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上海贝臣电子有限公司
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信息内容:

• VDS=950V • ID=15.5A• 导通电阻:R<0.33Ω• 总耗散功率:210W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C

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•导通电阻:RDS(on) = 0.046Ω •封装形式:TO-220AB

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