供应 美格拉(纳）MOS—MDI4N60TH 原装
| 价 格： | 1.43 | |
| 品牌： | MagnaChip(美格纳半导体) | |
| 型号： | MDI4N60TH | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 4000（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
•工作温度范围：-40 ~ 85°C
•封装：IPAK
广泛用于PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA显卡、STB机顶盒、主板、锂电池保护（PCM/BP）等产品充电器，电源，负载开头，逆变器等
"上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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