价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STP3N150 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 2600(μS) | |
极间电容: | 939(pF) | |
漏极电流: | 2500(mA) | |
耗散功率: | 140000(mW) |
• VDS=1500V
• ID=2.5A
• 导通电阻:R=6Ω
• 总耗散功率:140W
• 工作温度范围:-50 ~ 150°C
N沟道500V-0.34ohm-14A齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:24ns•关断延迟时间:54ns 应用:大电流、高速开关护士理想用于离线电力供应,适配器和全氟化碳的照明 "
•工作温度范围:-40 ~ 85°C •封装:IPAK 广泛用于PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA显卡、STB机顶盒、主板、锂电池保护(PCM/BP)等产品充电器,电源,负载开头,逆变器等"