价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDP4N60TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 600(V) | |
跨导: | 4000(μS) | |
极间电容: | 506(pF) | |
漏极电流: | 4000(mA) | |
耗散功率: | 92500(mW) |
广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护,适用于多个领域
•封装形式:TO-220• VDS=1500V • ID=2.5A• 导通电阻:R=6Ω• 总耗散功率:140W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C
N沟道500V-0.34ohm-14A齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:24ns•关断延迟时间:54ns 应用:大电流、高速开关护士理想用于离线电力供应,适配器和全氟化碳的照明 "