供应安森美功率MOS——NTD3055L104
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 型号/规格： | NTD3055L104 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 跨导： | 9100（μS） | |
| 极间电容： | 440（pF） | |
| 漏极电流： | 12000（mA） | |
| 耗散功率： | 48000（mW） |
•VDS=60V
•ID=-12A
•RDS(ON)=0.104Ω
•封装形式：DPAK
•耗散功率:PD=48W @TC=25°C
•工作温度范围：-55 ~ 175°C
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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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