N沟MOSF管MMFT3055VL
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | MOT美国摩托罗拉 | |
| 型号： | MMFT3055VL | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 0（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） |
SOT-223, N沟MOSFETMMFT3055VLdzsc/18/8756/18875671.jpg
"- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF510S
信息内容：TO-263(D2-PAK) 数据列表IRF510SPBF产品相片D2PAK, TO-263标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 3.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.6AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs8.3nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)180pF @ 25V功率 - 3.7W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装管件供应商设备封装D2PAK12V-400V, N沟MOSFET
N沟MOSF管IRFR2307Z
信息内容：TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRFR2307ZPbF, IRFU2307ZPbF产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 32A, 10V漏极至源极电压(Vdss)75V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2190pF @ 25V功率 - 110W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
