| 价 格: | 6.00 | |
| 品牌/商标: | 其他 | |
| 型号/规格: | IRFZ44NS | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 开启电压: | 55(V) | |
| 夹断电压: | 4(V) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRFZ44NSPbF, IRFZ44NLPbF |
| D2PAK, TO-263 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 标准型 |
| 17.5 毫欧 @ 25A, 10V |
| 55V |
| 49A |
| 4V @ 250µA |
| 63nC @ 10V |
| 1470pF @ 25V |
| 3.8W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
SOT-223, N沟MOSFETMMFT3055VLdzsc/18/8756/18875671.jpg"
TO-263(D2-PAK) 数据列表IRF510SPBF产品相片D2PAK, TO-263标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 3.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.6AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs8.3nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)180pF @ 25V功率 - 3.7W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装管件供应商设备封装D2PAK12V-400V, N沟MOSFET