价 格: | 6.00 | |
品牌/商标: | 其他 | |
型号/规格: | IRFZ44NS | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
开启电压: | 55(V) | |
夹断电压: | 4(V) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
IRFZ44NSPbF, IRFZ44NLPbF |
D2PAK, TO-263 |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
17.5 毫欧 @ 25A, 10V |
55V |
49A |
4V @ 250µA |
63nC @ 10V |
1470pF @ 25V |
3.8W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
SOT-223, N沟MOSFETMMFT3055VLdzsc/18/8756/18875671.jpg"
TO-263(D2-PAK) 数据列表IRF510SPBF产品相片D2PAK, TO-263标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 3.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.6AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs8.3nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)180pF @ 25V功率 - 3.7W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB包装管件供应商设备封装D2PAK12V-400V, N沟MOSFET