价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STF8NM60ND | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 7500(μS) | |
极间电容: | 560(pF) | |
漏极电流: | 7000(mA) | |
耗散功率: | 25000(mW) |
• VDS=650V
• ID=7A
• 导通电阻:R<0.7Ω
• 总耗散功率:25W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• VDS=1000V • ID=1.85A• 导通电阻:R<8.5Ω• 总耗散功率:70W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C
•VDS=60V•ID=-12A•RDS(ON)=0.104Ω•封装形式:DPAK•耗散功率:PD=48W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 175°C "