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供应安森美MOS——NTD18N06L

价 格: 面议
品牌/商标:0N/安森美
型号/规格:NTD18N06L
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:3.5(V)
跨导:13.5(μS)
极间电容:675(pF)
漏极电流:18000(mA)
耗散功率:55000(mW)

•VDS=60V

•ID=18A

•RDS(ON)=0.054Ω

•封装形式:DPAK

•耗散功率:PD=55W   @TC=25°C

•工作温度范围:-55 ~ 175°C

 

 

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上海贝臣电子有限公司
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信息内容:

适用于:逆变器,通用等 FeaturesN-Channel P-ChannelVDS = 30V VDS = -30VID = 6.9A @ VGS = 10V ID = -6.0A @ VGS = -10VRDS(ON) RDS(ON)<28m @ VGS = 10V <35m @ VGS = -10V<42m @ VGS = 4.5V <55m @ VGS = -4.5V"

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长期供应ST原装MOS——STP4N150

信息内容:

• VDS=1500V • ID=4A• 导通电阻:R=5Ω• 总耗散功率:160W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C "

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