价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | NTD18N06L | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 3.5(V) | |
跨导: | 13.5(μS) | |
极间电容: | 675(pF) | |
漏极电流: | 18000(mA) | |
耗散功率: | 55000(mW) |
•VDS=60V
•ID=18A
•RDS(ON)=0.054Ω
•封装形式:DPAK
•耗散功率:PD=55W @TC=25°C
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
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适用于:逆变器,通用等 FeaturesN-Channel P-ChannelVDS = 30V VDS = -30VID = 6.9A @ VGS = 10V ID = -6.0A @ VGS = -10VRDS(ON) RDS(ON)<28m @ VGS = 10V <35m @ VGS = -10V<42m @ VGS = 4.5V <55m @ VGS = -4.5V"
• VDS=1500V • ID=4A• 导通电阻:R=5Ω• 总耗散功率:160W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C "