| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/商标: | ST/意法 | |
| 型号/规格: | STP4N150 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 开启电压: | 5(V) | |
| 跨导: | 3500(μS) | |
| 极间电容: | 1300(pF) | |
| 漏极电流: | 4000(mA) | |
| 耗散功率: | 160000(mW) |
• VDS=1500V
• ID=4A
• 导通电阻:R=5Ω
• 总耗散功率:160W
• 工作温度范围:-50 ~ 150°C
"
• VDS = 600V• ID = 7.0A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 1.15Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C "
• VDS=650V • ID=7A• 导通电阻:R<0.7Ω• 总耗散功率:25W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C