价 格: | 1.50 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDS9651URH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
开启电压: | 3(V) | |
跨导: | 13000(μS) | |
极间电容: | 874(pF) | |
漏极电流: | 6900(mA) | |
耗散功率: | 2000(mW) |
适用于:逆变器,通用等
Features
N-Channel P-Channel
VDS = 30V VDS = -30V
ID = 6.9A @ VGS = 10V ID = -6.0A @ VGS = -10V
RDS(ON) RDS(ON)
<28m @ VGS = 10V <35m @ VGS = -10V
<42m @ VGS = 4.5V <55m @ VGS = -4.5V
• VDS=1500V • ID=4A• 导通电阻:R=5Ω• 总耗散功率:160W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C "
• VDS = 600V• ID = 7.0A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 1.15Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C "