价 格: | 2.50 | |
品牌/商标: | ZET英国XETEX | |
型号/规格: | IRLL2705 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 55(V) | |
夹断电压: | 2(V) | |
漏极电流: | 38(mA) | |
耗散功率: | 1000(mW) |
IRLL2705PbF |
IRLL2705TRPBF |
IRFL(L) Series Top |
2,500 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
40 毫欧 @ 3.8A, 10V |
55V |
2V @ 250µA |
48nC @ 10V |
3.8A |
870pF @ 25V |
1W |
表面贴装 |
SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA |
带卷 (TR) |
1377 (CN091-10 PDF) |
IRLL2705PBFTR |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ44NSPbF, IRFZ44NLPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1470pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
SOT-223, N沟MOSFETMMFT3055VLdzsc/18/8756/18875671.jpg"