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N沟MOSF管IRLL2705

价 格: 2.50
品牌/商标:ZET英国XETEX
型号/规格:IRLL2705
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:A/宽频带放大
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:55(V)
夹断电压:2(V)
漏极电流:38(mA)
耗散功率:1000(mW)

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称
IRLL2705PbF
IRLL2705TRPBF
IRFL(L) Series Top
2,500
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
40 毫欧 @ 3.8A, 10V
55V
2V @ 250µA
48nC @ 10V
3.8A
870pF @ 25V
1W
表面贴装
SOT-223(3 引线 接片),SC-73,TO-261AA
带卷 (TR)
1377 (CN091-10 PDF)
IRLL2705PBFTR

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
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N沟MOSF管IRFZ44NS

信息内容:

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ44NSPbF, IRFZ44NLPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1470pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB

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N沟MOSF管MMFT3055VL

信息内容:

SOT-223, N沟MOSFETMMFT3055VLdzsc/18/8756/18875671.jpg"

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