NXP恩智浦原装进口可控硅BT169D
| 价 格： | 0.20 | |
| 品牌/商标： | NXP/恩智浦 | |
| 型号/规格： | BT169-D | |
| 控制方式： | 双向 | |
| 极数： | 二极 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 封装外形： | TO92 | |
| 关断速度： | 普通 | |
| 散热功能： | 不带散热片 | |
| 频率特性： | 超高频 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 额定正向平均电流： | PHI原装进口（A） | |
| 控制极触发电流： | PHI原装进口（mA） | |
| 稳定工作电流： | PHI原装进口（A） | |
| 反向重复峰值电压： | 400（V） |
现货PHI原装进口可控硅BT169-D,
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| 产品型号: | BT169D | 产品名称: | ||||
| 品牌/产地: | NXP | 封装规格: | TO-92 | |||
| 产品描述: | Thyristors logic level | |||||
| 是否含铅: | 未知 | |||||
| PDF分类: | 非IC器件 > 分立器件 > 整流器 | |||||
| 产品参数信息: |
| |||||
| 数据手册: |
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3. Ordering information
4. Limiting values
[1] Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state.
The rate of rise of current should not exceed 15 A/ms.
Table 2: Ordering information
Type number Package
Name Description Version
BT169B - plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads SOT54
BT169D
BT169G
Table 3: Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter Conditions Min Max Unit
VDRM, VRRM repetitive peak off-state voltages
BT169B [1] - 200 V
BT169D [1] - 400 V
BT169G [1] - 600 V
IT(AV) average on-state current half sine wave;
Tlead £ 83 °C;
see Figure 1
- 0.5 A
IT(RMS) RMS on-state current all conduction angles;
see Figure 4 and 5
- 0.8 A
ITSM non-repetitive peak on-state current half sine wave;
Tj = 25 °C prior to
surge;
see Figure 2 and 3
t = 10 ms - 8 A
t = 8.3 ms - 9 A
I2t I2t for fusing t = 10 ms - 0.32 A2s
dIT/dt repetitive rate of rise of on-state
current after triggering
ITM = 2 A; IG = 10 mA;
dIG/dt = 100 mA/ms
- 50 A/ms
IGM peak gate current - 1 A
VGM peak gate voltage - 5 V
VRGM peak reverse gate voltage - 5 V
PGM peak gate power - 2 W
PG(AV) average gate power over any 20 ms period - 0.1 W
Tstg storage temperature -40 150 °C
Tj junction temperature - 125 °
- 所属城市：江苏 苏州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 韦先生
- 电话：0512-50710709
- 传真：0512-50111209
- 手机：15950933050
- QQ ：
代理长电TO-220MOS管IRF730
信息内容：长电代理热销TO-220MOS管IRF730MOS类型NmosBVDSS 400VId(A) 5.5A，原厂代理，假一赔十。"
代理：ST意法MOS管场效应管STP20NK50Z
信息内容：产品型号:STP20NK50Z 产品名称: 品牌/产地:ST公司 封装规格:TO 220 AB NON ISOL 产品描述:N-CHANNEL 500V - 0.23 Ohm - 20A TO-220 Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET 是否含铅:未知PDF分类:非IC器件 > 分立器件 > 晶体管产品参数信息: 参数名 参数值 Status Active Automotive Product - For NEW Design-in YES Drain-Source Voltage(VDSS) max V 500 RDS(on)(@ 10V) nom Ohm - RDS(on)(@ 10V) nom Ohm .27 RDS(on)(@ 4.5V) max Ohm - Drain Current (Dc)(ID) max A 20 Total Power Dissipation(PD) max W 190 Total Gate Charge(Qg) typ nC 95 Total Gate Charge(Qg) typ nC 133 Power Dissipation typ W - Power Dissipation typ W -数据手册:文件名:stp20nk50z.pdf文件大小:378.98 KB下载次数:15下载:"
