价 格: | 0.50 | |
品牌: | 长电 | |
型号: | IRF730 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 400(V) | |
夹断电压: | 详见规格书(V) | |
跨导: | 详见规格书(μS) | |
极间电容: | 详见规格书(pF) | |
低频噪声系数: | 详见规格书(dB) | |
漏极电流: | 5500(mA) | |
耗散功率: | 详见规格书(mW) |
长电代理热销TO-220MOS管IRF730MOS类型NmosBVDSS 400VId(A) 5.5A,原厂代理,假一赔十。
"产品型号:STP20NK50Z 产品名称: 品牌/产地:ST公司 封装规格:TO 220 AB NON ISOL 产品描述:N-CHANNEL 500V - 0.23 Ohm - 20A TO-220 Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET 是否含铅:未知PDF分类:非IC器件 > 分立器件 > 晶体管产品参数信息: 参数名 参数值 Status Active Automotive Product - For NEW Design-in YES Drain-Source Voltage(VDSS) max V 500 RDS(on)(@ 10V) nom Ohm - RDS(on)(@ 10V) nom Ohm .27 RDS(on)(@ 4.5V) max Ohm - Drain Current (Dc)(ID) max A 20 Total Power Dissipation(PD) max W 190 Total Gate Charge(Qg) typ nC 95 Total Gate Charge(Qg) typ nC 133 Power Dissipation typ W - Power Dissipation typ W -数据手册:文件名:stp20nk50z.pdf文件大小:378.98 KB下载次数:15下载:"
Product Major InformationVgsBVVTHRon(10V) (mΩ)Ron(4.5V) (mΩ)Ron(2.5V) (mΩ)N/PVoltageProduct NameAssemblyID(A) 25℃PW (W) 25℃(V)MinTypTypMaxTypMaxTypMax N-100VNCE01H10TO-2201002002010039.913