代理：ST意法MOS管场效应管STP20NK50Z
| 价 格： | 6.85 | |
| 品牌： | ST/意法 | |
| 型号： | STP20NK50Z | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | ST代理，原装正品（V） | |
| 夹断电压： | ST代理，原装正品（V） | |
| 跨导： | ST代理，原装正品（μS） | |
| 极间电容： | ST代理，原装正品（pF） | |
| 低频噪声系数： | ST代理，原装正品（dB） | |
| 漏极电流： | ST代理，原装正品（mA） | |
| 耗散功率： | ST代理，原装正品（mW） |
| 产品型号: | STP20NK50Z | 产品名称: | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 品牌/产地: | ST公司 | 封装规格: | TO 220 AB NON ISOL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 产品描述: | N-CHANNEL 500V - 0.23 Ohm - 20A TO-220 Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 是否含铅: | 未知 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDF分类: | 非IC器件 > 分立器件 > 晶体管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 产品参数信息: |
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| 数据手册: |
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- 所属城市：江苏 苏州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 韦先生
- 电话：0512-50710709
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NCE代理:100V 100AMOS管NCE01H10
信息内容：Product Major InformationVgsBVVTHRon(10V) (mΩ)Ron(4.5V) (mΩ)Ron(2.5V) (mΩ)N/PVoltageProduct NameAssemblyID(A) 25℃PW (W) 25℃(V)MinTypTypMaxTypMaxTypMax N-100VNCE01H10TO-2201002002010039.913
代理：ST意法MOS管场效应管STP30NM30N
信息内容：产品型号:STP30NM30N 产品名称: 品牌/产地:ST公司 封装规格:TO 220 AB NON ISOL 产品描述:N-channel 300V - 0.078Ohm - 30A - TO-220 是否含铅:未知PDF分类:非IC器件 > 分立器件 > 晶体管产品参数信息: 参数名 参数值 Status Active Automotive Product - For NEW Design-in - Drain-Source Voltage(VDSS) max V 300 RDS(on)(@ 10V) nom Ohm .078 RDS(on)(@ 10V) nom Ohm .09 RDS(on)(@ 4.5V) max Ohm .09 Drain Current (Dc)(ID) max A 30 Total Power Dissipation(PD) max W - Total Gate Charge(Qg) typ nC - Total Gate Charge(Qg) typ nC - Power Dissipation typ W - Power Dissipation typ W -数据手册:文件名:stp30nm30n.pdf文件大小:289.04 KB下载次数:15下载:"
