N沟MOSF管STD35NF3LL
| 价 格： | 8.00 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 型号/规格： | STD35NF3LL | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 2.5（V） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET
| STD35NF3LL |
| ST Series DPAK |
| 1 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| STripFET™ |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 19.5 毫欧 @ 17.5A, 10V |
| 30V |
| 35A |
| 2.5V @ 250µA |
| 17nC @ 5V |
| 800pF @ 25V |
| 50W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 |
| 剪切带 (CT) |
| D-Pak |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRLL2705
信息内容：数据列表IRLL2705PbF产品相片IRLL2705TRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 3.8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A在 Vds 时的输入电容(Ciss)870pF @ 25V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223（3 引线 接片），SC-73，TO-261AA包装带卷 (TR)产品目录页面1377 (CN091-10 PDF)其它名称IRLL2705PBFTR
N沟MOSF管IRFZ44NS
信息内容：TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ44NSPbF, IRFZ44NLPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1470pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
