N沟MOSF管SI9410DY
| 价 格： | 0.60 | |
| 品牌： | 其他 | |
| 型号： | SI9410DY | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） |
SO8, N沟MOSFET
| SI9410DY |
| 8-SOIC |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| TrenchMOS™ |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 30 毫欧 @ 7A, 10V |
| 30V |
| - |
| 1V @ 250µA |
| 50nC @ 10V |
| - |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SO |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管STD35NF3LL
信息内容：TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表STD35NF3LL产品目录绘图ST Series DPAK标准包装1类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列STripFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 17.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35AId 时的 Vgs(th)（）2.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)800pF @ 25V功率 - 50W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63包装剪切带 (CT)供应商设备封装D-Pak
N沟MOSF管IRLL2705
信息内容：数据列表IRLL2705PbF产品相片IRLL2705TRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 3.8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A在 Vds 时的输入电容(Ciss)870pF @ 25V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223（3 引线 接片），SC-73，TO-261AA包装带卷 (TR)产品目录页面1377 (CN091-10 PDF)其它名称IRLL2705PBFTR
