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N沟MOSF管RFR014

价 格: 4.00
品牌/商标:其他
型号/规格:IRFR014
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
开启电压:60(V)
夹断电压:4(V)

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装
IRFR014, IRFU014
TO-252-2
2,000
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
200 毫欧 @ 4.6A, 10V
60V
7.7A
4V @ 250µA
11nC @ 10V
300pF @ 25V
2.5W
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
带卷 (TR)

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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N沟MOSF管SI9410DY

信息内容:

SO8, N沟MOSFET数据列表SI9410DY产品相片8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchMOS™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 7A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-Id 时的 Vgs(th)()1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)"

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