| 价 格: | 4.00 | |
| 品牌/商标: | 其他 | |
| 型号/规格: | IRFR014 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 开启电压: | 60(V) | |
| 夹断电压: | 4(V) |
| IRFR014, IRFU014 |
| TO-252-2 |
| 2,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 标准型 |
| 200 毫欧 @ 4.6A, 10V |
| 60V |
| 7.7A |
| 4V @ 250µA |
| 11nC @ 10V |
| 300pF @ 25V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 |
| 带卷 (TR) |
SO8, N沟MOSFET数据列表SI9410DY产品相片8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchMOS™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 7A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-Id 时的 Vgs(th)()1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)"
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表STD35NF3LL产品目录绘图ST Series DPAK标准包装1类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列STripFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 17.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35AId 时的 Vgs(th)()2.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)800pF @ 25V功率 - 50W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63包装剪切带 (CT)供应商设备封装D-Pak