价 格: | 2.00 | |
品牌/商标: | DIO美国二极管 | |
型号/规格: | MMBF170 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | CC/恒流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 0(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
跨导: | 0(μS) | |
极间电容: | 0(pF) | |
低频噪声系数: | 0(dB) | |
漏极电流: | 0(mA) |
SOT-23 12V-400V, N沟MOSFETdzsc/18/8747/18874748.jpg
"数据列表IRFR014, IRFU014产品相片TO-252-2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 4.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.7AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)300pF @ 25V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63包装带卷 (TR)
SO8, N沟MOSFET数据列表SI9410DY产品相片8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchMOS™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 7A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-Id 时的 Vgs(th)()1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)"