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N沟MOSF管IRL3302S

价 格: 3.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRL3302S
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:AM/调幅
封装外形:SMD(SO)/表面封装
开启电压:7(V)
夹断电压:20(V)
跨导:0(μS)
极间电容:1300(pF)
低频噪声系数:0(dB)
漏极电流:390(mA)
耗散功率:5700(mW)

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
20 毫欧 @ 23A, 7V
20V
39A
700mV @ 250µA
31nC @ 4.5V
1300pF @ 15V
57W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
"

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 孔维年
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N沟MOSF管MMBF170

信息内容:

SOT-23 12V-400V, N沟MOSFETdzsc/18/8747/18874748.jpg"

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N沟MOSF管RFR014

信息内容:

数据列表IRFR014, IRFU014产品相片TO-252-2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 4.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.7AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)300pF @ 25V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63包装带卷 (TR)

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