价 格: | 3.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRL3302S | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | AM/调幅 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
开启电压: | 7(V) | |
夹断电压: | 20(V) | |
跨导: | 0(μS) | |
极间电容: | 1300(pF) | |
低频噪声系数: | 0(dB) | |
漏极电流: | 390(mA) | |
耗散功率: | 5700(mW) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
20 毫欧 @ 23A, 7V |
20V |
39A |
700mV @ 250µA |
31nC @ 4.5V |
1300pF @ 15V |
57W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
SOT-23 12V-400V, N沟MOSFETdzsc/18/8747/18874748.jpg"
数据列表IRFR014, IRFU014产品相片TO-252-2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 4.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.7AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)300pF @ 25V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63包装带卷 (TR)