价 格: | 5.00 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFR3410 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | CC/恒流 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 100(V) | |
极间电容: | 1690(pF) | |
漏极电流: | 3100(mA) | |
耗散功率: | 3000(mW) |
IRFR3410PbF, IRFU3410PbF |
IRFR3410TRLPBF |
D Pak Side |
3,000 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
39 毫欧 @ 18A, 10V |
100V |
4V @ 250µA |
56nC @ 10V |
31A |
1690pF @ 25V |
3W |
表面贴装 |
DPak, SC-63,TO-252(2引线 接片) |
带卷 (TR) |
1376 (CN091-10 PDF |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 23A, 7V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39AId 时的 Vgs(th)()700mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1300pF @ 15V功率 - 57W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB"
SOT-23 12V-400V, N沟MOSFETdzsc/18/8747/18874748.jpg"