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N沟MOSF管IRFR3410

价 格: 5.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFR3410
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:CC/恒流
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:100(V)
夹断电压:100(V)
极间电容:1690(pF)
漏极电流:3100(mA)
耗散功率:3000(mW)

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装产品目录页面
IRFR3410PbF, IRFU3410PbF
IRFR3410TRLPBF
D Pak Side
3,000
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
39 毫欧 @ 18A, 10V
100V
4V @ 250µA
56nC @ 10V
31A
1690pF @ 25V
3W
表面贴装
DPak, SC-63,TO-252(2引线 接片)
带卷 (TR)
1376 (CN091-10 PDF
"

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
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信息内容:

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 23A, 7V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39AId 时的 Vgs(th)()700mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1300pF @ 15V功率 - 57W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB"

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N沟MOSF管MMBF170

信息内容:

SOT-23 12V-400V, N沟MOSFETdzsc/18/8747/18874748.jpg"

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