价 格: | 7.50 | |
品牌/商标: | 其他 | |
型号/规格: | IRFR1010Z | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
开启电压: | 55(V) | |
夹断电压: | 10(V) |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET
IRF(R,U)1010ZPbF |
TO-252-2 |
3,000 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
7.5 毫欧 @ 42A, 10V |
55V |
42A |
4V @ 100µA |
95nC @ 10V |
2840pF @ 25V |
140W |
表面贴装 |
TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 |
带卷 (TR) |
D-Pak |
数据列表IRFR3410PbF, IRFU3410PbF产品相片IRFR3410TRLPBF产品目录绘图D Pak Side标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 18A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs56nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1690pF @ 25V功率 - 3W安装类型表面贴装封装/外壳DPak, SC-63,TO-252(2引线 接片)包装带卷 (TR)产品目录页面1376 (CN091-10 PDF"
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 23A, 7V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39AId 时的 Vgs(th)()700mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1300pF @ 15V功率 - 57W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB"