供应 场效应管 CMU60N03,CMU50N03,60N03,50N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CMU06N03\tCmosfet\tTO-251 \t30V \t80A \t0.0052Ω | |
| 品牌/商标： | CMOSFET | |
| 封装形式： | TO-251 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 80/管 |
CMU06N03 Cmosfet TO-251 30V 80A 0.0052Ω
General Description(概述)
The 50N03 is N-channel MOSFET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier.
Features(特点)
Simple Drive Requirement
Fast Switching
Ultra-Low RDS(on)
Green Device Available
Low Gate Charge
简单的驱动要求
快速切换
超低的RDS（on）
绿色设备可用
低栅极电荷
APPLICATIONS(应用)
高频负载点同步降压转换器MB/笔记本/ UMPC/显示卡
DC/ DC转换器
马达驱动器
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 QM6015B,M6015B,QM6015
信息内容：产品型号:QM6015B 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2.5 功率PD(W):86.8 输入电容Ciss(PF):3635 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：23 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162 导通延迟时间Td(on)(ns):38 typ. 上升时间Tr(ns):23.6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ. 下降时间Tf(ns):6.8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-60V,-45A P-沟道增强型场效应晶体管
供应 场效应管 IRF3205,CMP3205A,KIA3205B
信息内容：产品型号:KIA3205N 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):110 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):TYP.4 功率PD(W):200 极间电容Ciss(PF):2950 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)： 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480 温度(℃): -55 ~175 描述:55V,110A N-Channel POWER MOSFET TRANSISTOR
