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AP/富鼎 MOS管AP60T03AH 60T03

价 格: 面议
品牌:其他
型号:AP60T03AH AP/富鼎 SOT-252 30V 45A
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MOS-ARR/陈列组件
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:-(V)
夹断电压:-(V)
跨导:-(μS)
极间电容:-(pF)
低频噪声系数:-(dB)
漏极电流:-(mA)
耗散功率:-(mW)

产品型号规格书(PDF文件)查询网站:http://www.alldatasheet.com/, 或直接向业务员索取。 具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您! AP60T03AH 05+ SOT-252 AP/富鼎 SMD/MOS N场 30V 45A 0.012Ω 3V

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深圳市金城微零件有限公司
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信息内容:

CMU06N03 Cmosfet TO-251 30V 80A 0.0052Ω General Description(概述) The 50N03 is N-channel MOSFET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. Features(特点) Simple Drive Requirement Fast Switching Ultra-Low RDS(on) Green Device Available Low Gate Charge 简单的驱动要求 快速切换 超低的RDS(on) 绿色设备可用 低栅极电荷 APPLICATIONS(应用) 高频负载点同步降压转换器MB/笔记本/ UMPC/显示卡 DC/ DC转换器 马达驱动器

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信息内容:

产品型号:QM6015B 封装:SOT-263 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-45 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-2.5 功率PD(W):86.8 输入电容Ciss(PF):3635 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s):23 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):162 导通延迟时间Td(on)(ns):38 typ. 上升时间Tr(ns):23.6 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ. 下降时间Tf(ns):6.8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-60V,-45A P-沟道增强型场效应晶体管

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