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场效应管 FDD6680A / FDD6680 / FDD6680AS

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:FDD6680A
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:3(V)
极间电容:1425(pF)
漏极电流:14,000(mA)
耗散功率:1,300(mW)

FDD6680A中文资料:

 

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商零件编号

FDD6680A

描述

MOSFET N-CH 30V 14A DPAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

PowerTrench®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

9.5毫欧 @ 14A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

14A

Id时的 Vgs(th)()

3V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

20nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1425pF @ 15V

功率 -

1.3W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)


公司照片:

dzsc/18/8730/18873018.jpg

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备注:

 

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2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。

 

 

 

 

 

FDD6680A订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-83687516(7线)

 

商务QQ:120279071

 

MSN: jason-yufo@hotmail.com

 

E-mail:yufo_ic@163.com

 

手机: 13590258862 / 13531791171

 

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深圳市福田区丰尔电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 杨金海
  • 电话:
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场效应管 FQB16N25 / FQB16N25TM / FQB16N25C / 16N25

信息内容:

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场效应管 SUB85N03-04P / SUB85N03-04 / SUB85N03 / 85N03

信息内容:

SUB85N03-04P中文资料:制造商Vishay Siliconix制造商零件编号SUB85N03-04P描述MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列-FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C4.3毫欧@ 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id) @ 25° C85AId时的Vgs(th)()2V @ 250mA 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC在Vds时的输入电容(Ciss)4500pF @ 25V功率-3.75W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷(TR) 公司照片:dzsc/18/8734/18873408.jpgdzsc/18/8734/18873408.jpgdzsc/18/8734/18873408.jpgdzsc/18/8734/18873408.jpg 备注: 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 SUB85N03-04P订购及咨询: 深圳市丰尔电子有限公司 电话:0755-83687516(7线) 商务QQ:120279071 MSN: jason-yufo@hotmail.com E-mail:yufo_ic@163.com 手机: 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/ "

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