场效应管 FQB16N25 / FQB16N25TM / FQB16N25C / 16N25
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQB16N25 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 5（V） | |
| 极间电容： | 1200（pF） | |
| 漏极电流： | 16,000（mA） | |
| 耗散功率： | 3,130（mW） |
FQB16N25中文资料：
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商零件编号 | FQB16N25TM |
描述 | MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | QFET™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 230毫欧 @ 8A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16A |
Id时的 Vgs(th)（） | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
功率 - | 3.13W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D²PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
dzsc/18/8734/18873405.jpg
dzsc/18/8734/18873405.jpg
dzsc/18/8734/18873405.jpg
dzsc/18/8734/18873405.jpg
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
FQB16N25订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
电话：0755-83687516（7线）
商务QQ：120279071
MSN： jason-yufo@hotmail.com
E-mail：yufo_ic@163.com
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
"
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨金海
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
场效应管 SUB85N03-04P / SUB85N03-04 / SUB85N03 / 85N03
信息内容：SUB85N03-04P中文资料：制造商Vishay Siliconix制造商零件编号SUB85N03-04P描述MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列-FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C4.3毫欧@ 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流-连续漏极(Id) @ 25° C85AId时的Vgs(th)（）2V @ 250mA 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC在Vds时的输入电容(Ciss)4500pF @ 25V功率-3.75W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷(TR) 公司照片：dzsc/18/8734/18873408.jpgdzsc/18/8734/18873408.jpgdzsc/18/8734/18873408.jpgdzsc/18/8734/18873408.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 SUB85N03-04P订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/ "
场效应管 IRFS33N15D / IRFS33N15DTRLP / FS33N15D
信息内容：IRFS33N15D中文资料：制造商International Rectifier制造商零件编号IRFS33N15DTRLP描述MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C56毫欧 @ 20A, 10V漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33AId时的 Vgs(th)（）5.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2020pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/18/8734/18873425.jpgdzsc/18/8734/18873425.jpgdzsc/18/8734/18873425.jpgdzsc/18/8734/18873425.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRFS33N15D订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
