场效应管 SUB85N03-04P / SUB85N03-04 / SUB85N03 / 85N03
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | Vishay Siliconix | |
| 型号/规格： | SUB85N03-04P | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2（V） | |
| 极间电容： | 4500（pF） | |
| 漏极电流： | 85,000（mA） | |
| 耗散功率： | 3.750（mW） |
SUB85N03-04P中文资料：
制造商 | Vishay Siliconix |
制造商零件编号 | SUB85N03-04P |
描述 | MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | - |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.3毫欧@ 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id) @ 25° C | 85A |
Id时的Vgs(th)（） | 2V @ 250mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 90nC |
在Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 25V |
功率- | 3.75W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷(TR) |
公司照片：
dzsc/18/8734/18873408.jpg
dzsc/18/8734/18873408.jpg
dzsc/18/8734/18873408.jpg
dzsc/18/8734/18873408.jpg
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
SUB85N03-04P订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
电话：0755-83687516（7线）
商务QQ：120279071
MSN： jason-yufo@hotmail.com
E-mail：yufo_ic@163.com
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
"
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨金海
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
场效应管 IRFS33N15D / IRFS33N15DTRLP / FS33N15D
信息内容：IRFS33N15D中文资料：制造商International Rectifier制造商零件编号IRFS33N15DTRLP描述MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C56毫欧 @ 20A, 10V漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33AId时的 Vgs(th)（）5.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2020pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/18/8734/18873425.jpgdzsc/18/8734/18873425.jpgdzsc/18/8734/18873425.jpgdzsc/18/8734/18873425.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRFS33N15D订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
场效应管 IRF630NS / IRF630NSTRRPBF / F630NS
信息内容：IRF630NS中文资料： 制造商International Rectifier制造商零件编号IRF630NSTRRPBF描述MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C300毫欧 @ 5.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.3AId时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)575pF @ 25V功率 - 82W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR)公司照片：dzsc/18/8734/18873450.jpgdzsc/18/8734/18873450.jpgdzsc/18/8734/18873450.jpgdzsc/18/8734/18873450.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRF630NS订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
