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场效应管 IRF630NS / IRF630NSTRRPBF / F630NS

价 格: 面议
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF630NS
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:4(V)
极间电容:575(pF)
漏极电流:9,300(mA)
耗散功率:82,000(mW)

IRF630NS中文资料:

 

制造商

International Rectifier

制造商零件编号

IRF630NSTRRPBF

描述

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

HEXFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

300毫欧 @ 5.4A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

9.3A

Id时的 Vgs(th)()

4V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

35nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

575pF @ 25V

功率 -

82W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)


公司照片:

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备注:

 

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IRF630NS订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-83687516(7线)

 

商务QQ:120279071

 

MSN: jason-yufo@hotmail.com

 

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深圳市福田区丰尔电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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