价 格: | 1.35 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD4N60RH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 4000(μS) | |
极间电容: | 506(pF) | |
漏极电流: | 3500(mA) | |
耗散功率: | 67500(mW) |
•工作温度范围:-55~ 150°C
•封装形式:DPAK
•ID=3.5A VDS=600V
•耗散功率:67.5W
• VDS=600V • ID=13A• 导通电阻:R<0.55Ω• 总耗散功率:150W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
N沟道600V的- 0.25Ω- 20A功率MOSFET•器件标识:P20NM60•封装类型:TO-220•功率损耗:192W•工作温度范围:-65 ~ 150°C•开启延迟时间:25ns•关断延迟时间:42ns