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供应ST功率MOS管——STP20NM60

价 格: 面议
品牌/商标:ST/意法
型号/规格:STP20NM60
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
开启电压:600V(V)
跨导:11000(μS)
极间电容:1500(pF)
漏极电流:20000(mA)
耗散功率:192000(mW)

 N沟道600V的- 0.25Ω- 20A功率MOSFET

•器件标识:P20NM60

•封装类型:TO-220

•功率损耗:192W

•工作温度范围:-65 ~ 150°C

•开启延迟时间:25ns

•关断延迟时间:42ns

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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  • 联系人: 何军
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信息内容:

•封装形式:TO-262•导通电阻:RDS(ON)=45mΩ•栅极电荷量:QGD=65nC• 反向恢复时间:Trr=300nS•漏极电流:ID=41A @ TA=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C "

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信息内容:

200V N-Channel MOSFET19.4A,200V,RDS(ON)=0.15Ω @ VGS=10V "

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