价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STP20NM60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 600V(V) | |
跨导: | 11000(μS) | |
极间电容: | 1500(pF) | |
漏极电流: | 20000(mA) | |
耗散功率: | 192000(mW) |
N沟道600V的- 0.25Ω- 20A功率MOSFET
•器件标识:P20NM60
•封装类型:TO-220
•功率损耗:192W
•工作温度范围:-65 ~ 150°C
•开启延迟时间:25ns
•关断延迟时间:42ns
•封装形式:TO-262•导通电阻:RDS(ON)=45mΩ•栅极电荷量:QGD=65nC• 反向恢复时间:Trr=300nS•漏极电流:ID=41A @ TA=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C "
200V N-Channel MOSFET19.4A,200V,RDS(ON)=0.15Ω @ VGS=10V "