价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STB13NK60ZT4 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
开启电压: | 4.5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
跨导: | 11000(μS) | |
极间电容: | 2030(pF) | |
漏极电流: | 13000(mA) | |
耗散功率: | 150000(mW) |
• VDS=600V
• ID=13A
• 导通电阻:R<0.55Ω
• 总耗散功率:150W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
N沟道600V的- 0.25Ω- 20A功率MOSFET•器件标识:P20NM60•封装类型:TO-220•功率损耗:192W•工作温度范围:-65 ~ 150°C•开启延迟时间:25ns•关断延迟时间:42ns
•封装形式:TO-262•导通电阻:RDS(ON)=45mΩ•栅极电荷量:QGD=65nC• 反向恢复时间:Trr=300nS•漏极电流:ID=41A @ TA=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C "