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SPP20N60S5—— Power Transistor

价 格: 面议
品牌/商标:INFINEON/英飞凌
型号/规格:SPP20N60S5
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
材料:MES金属半导体
夹断电压:700(V)
跨导:12000(μS)
极间电容:3000(pF)
漏极电流:20000(mA)
耗散功率:208000(mW)

•工作温度范围:-55 to 150°C

•开启延迟时间:120ns

•关断延迟时间:140ns

•无铅包装

•封装类型:TO-220

•开态电阻RDS(on):0.19Ω

•器件标号:20N60S5

•功率损耗:208W

 

  

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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