价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | INFINEON/英飞凌 | |
型号/规格: | SPP20N60S5 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
材料: | MES金属半导体 | |
夹断电压: | 700(V) | |
跨导: | 12000(μS) | |
极间电容: | 3000(pF) | |
漏极电流: | 20000(mA) | |
耗散功率: | 208000(mW) |
•工作温度范围:-55 to 150°C
•开启延迟时间:120ns
•关断延迟时间:140ns
•无铅包装
•封装类型:TO-220
•开态电阻RDS(on):0.19Ω
•器件标号:20N60S5
•功率损耗:208W
•工作温度范围:-55~ 150°C•封装形式:DPAK•ID=3.5A VDS=600V•耗散功率:67.5W
• VDS=600V • ID=13A• 导通电阻:R<0.55Ω• 总耗散功率:150W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C