价 格: | 1.65 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF730NPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
"
数据列表Z04产品相片TO-202-3 Pkg其它有关文件Z04 View All Specifications产品目录绘图Triac Z Series TO202-3标准包装250类别分离式半导体产品家庭三端双向可控硅开关系列-三端双向可控硅开关类型逻辑 - 灵敏栅极电压 - 断路800V电流 - 导通状态 (It (RMS))()4A电压 - 栅极触发器 (Vgt)()1.3V电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)20A, 21A电流 - 栅极触发电流 (Igt)()10mA电流 - 维持(Ih)10mA配置单一安装类型通孔封装/外壳TO-202 无接片供应商设备封装TO-202包装散装产品目录页面1557 (CN2011-ZH PDF)其它名称497-7702Z0409NF 1AA2-ND经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8737/18873758.jpg
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8750/18875008.jpg数据列表IRFZ44NPbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1470pF @ 25V功率 - 94W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRFZ44NPBF