价 格: | 1.20 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | Z0409 | |
控制方式: | 双向 | |
极数: | 四极 | |
封装材料: | 金属封装 | |
封装外形: | 平板形 | |
关断速度: | 普通 | |
散热功能: | 不带散热片 | |
频率特性: | 中频 | |
功率特性: | 中功率 |
|
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8750/18875008.jpg数据列表IRFZ44NPbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1470pF @ 25V功率 - 94W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRFZ44NPBF
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8751/18875157.jpg数据列表IRL3803PbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C140A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 71A, 10VId 时的 Vgs(th)()1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds5000pF @ 25V功率 - 200W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRL3803PBF