| 价 格: | 1.45 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRFZ44NPBF | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8750/18875008.jpg
| IRFZ44NPbF |
| TO-220-3, TO-220AB |
| IR Hexfet TO-220AB |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 标准型 |
| 55V |
| 49A |
| 17.5 毫欧 @ 25A, 10V |
| 4V @ 250µA |
| 63nC @ 10V |
| 1470pF @ 25V |
| 94W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| TO-220AB |
| 管件 |
| 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| *IRFZ44NPBF |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8751/18875157.jpg数据列表IRL3803PbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C140A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 71A, 10VId 时的 Vgs(th)()1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds5000pF @ 25V功率 - 200W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRL3803PBF
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