供应可控硅系列产品 S8025 TO-220 全新的
| 价 格： | 1.60 | |
| 品牌/商标： | ST/意法 | |
| 型号/规格： | S8025 | |
| 控制方式： | 单向 | |
| 极数： | 三极 | |
| 封装材料： | 金属封装 | |
| 封装外形： | 平板形 | |
| 关断速度： | 普通 | |
| 散热功能： | 不带散热片 | |
| 频率特性： | 中频 | |
| 功率特性： | 大功率 |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/18/8751/18875196.jpg
东莞市东城满通电子经营部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 东莞
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 邹德庆
- 电话：
- 传真：
- 手机：13580886332
- QQ ：
公司相关产品
场效应管IR系列产品 G4PH50UD 45A/1200V 原装进囗
信息内容：数据列表IRG4PH50UDPbF产品相片TO-247-3标准包装25类别分离式半导体产品家庭IGBT - 单路系列-IGBT 类型-电压 - 集电极发射极击穿（）1200VVge, Ic时的Vce（开）3.7V @ 15V, 24A电流 - 集电极 (Ic)（）45A功率 - 200W输入类型标准型安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247AC包装散装其它名称*IRG4PH50UDPBFdzsc/18/8752/18875276.jpg
场效应管IR系列产品 FIR2N60FG 2N/600V 原装进囗
信息内容：数据列表AOT(F)2N60产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图TO-220标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C4.4 欧姆 @ 1A, 10VId 时的 Vgs(th)（）4.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs11.4nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds325pF @ 25V功率 - 74W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220-3包装管件其它名称785-1185-5dzsc/18/8757/18875722.jpgdzsc/18/8757/18875722.jpg
