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场效应管IR系列产品 FIR2N60FG 2N/600V 原装进囗

价 格: 0.65
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:FIR2N60FG
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称
AOT(F)2N60
TO-220-3, TO-220AB
TO-220
1,000
分离式半导体产品
FET - 单
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
600V
2A
4.4 欧姆 @ 1A, 10V
4.5V @ 250µA
11.4nC @ 10V
325pF @ 25V
74W
通孔
TO-220-3
TO-220-3
管件
785-1185-5

dzsc/18/8757/18875722.jpg

dzsc/18/8757/18875722.jpg

东莞市东城满通电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 邹德庆
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:13580886332
  • QQ :
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