价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFB4332PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
跨导: | 100000(μS) | |
极间电容: | 5860(pF) | |
漏极电流: | 60000(mA) | |
耗散功率: | 390000(mW) |
•导通电阻:RDS(on) = 0.033Ω
•封装形式:TO-220AB•工作温度范围:-55 to 150°C•开启延迟时间:120ns•关断延迟时间:140ns•无铅包装•封装类型:TO-220•开态电阻RDS(on):0.19Ω•器件标号:20N60S5•功率损耗:208W
•工作温度范围:-55~ 150°C•封装形式:DPAK•ID=3.5A VDS=600V•耗散功率:67.5W