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供应IR原装MOS —— IRFB4332PBF

价 格: 面议
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFB4332PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
开启电压:5(V)
夹断电压:30(V)
跨导:100000(μS)
极间电容:5860(pF)
漏极电流:60000(mA)
耗散功率:390000(mW)

 •导通电阻:RDS(on) = 0.033Ω

 •封装形式:TO-220AB

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
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SPP20N60S5—— Power Transistor

信息内容:

•工作温度范围:-55 to 150°C•开启延迟时间:120ns•关断延迟时间:140ns•无铅包装•封装类型:TO-220•开态电阻RDS(on):0.19Ω•器件标号:20N60S5•功率损耗:208W

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供应 美格拉(纳)贴片n沟道 MOS管 MDD4N60RH

信息内容:

•工作温度范围:-55~ 150°C•封装形式:DPAK•ID=3.5A VDS=600V•耗散功率:67.5W

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