仙童代理分销 FQP6P25 P沟道增强场效应管
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQP6P25 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: P-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.1 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 3.3 S
汲极/源极击穿电压: - 250 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 6 A
功率耗散: 90 W
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
零件号别名: FQP6P25_NL
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义伟
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IR原装集成块场效应管 G4PF50W IRG4PF50WPBF
信息内容：IR原装集成块场效应管 G4PF50W IRG4PF50WPBF IR原装集成块场效应管 G4PF50W IRG4PF50WPBF G4PF50W IRG4PF50WPBF产品规格 参数 数据列表 IRG4PF50WPbF 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC 标准包装 25类别 分离式半导体产品家庭 IGBT - 单路系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿（） 900V Vge, Ic时的Vce（开） 2.7V @ 15V, 28A 电流 - 集电极 (Ic)（） 51A 功率 - 200W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1516 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRG4PF50WPBF
INFINEON英飞凌场效应管 11N80C3 SPA11N80C3
信息内容：INFINEON英飞凌场效应管 11N80C3 SPA11N80C3INFINEON英飞凌场效应管 11N80C3 SPA11N80C311N80C3 SPA11N80C3产品规格 参数数据列表 SPA11N80C3 产品相片 TO-220AB Full-Pak 产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters 产品目录绘图 Mosfets TO-220FP 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 CoolMOS™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 800V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 450 毫欧 @ 7.1A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 3.9V @ 680µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 85nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1600pF @ 100V 功率 - 41W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 PG-TO220-FP 包装 管件 产品目录页面 1615 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 SP000216320SPA11N80C3INSPA11N80C3XSPA11N80C3XKSPA11N80C3XTINSPA11N80C3XTIN-ND
