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IR原装集成块场效应管 G4PF50W IRG4PF50WPBF

价 格: 面议
品牌:IR/国际整流器
型号:G4PF50W IRG4PF50WPBF
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:MES金属半导体
开启电压:22(V)
夹断电压:22(V)
跨导:22(μS)
极间电容:22(pF)
低频噪声系数:22(dB)
漏极电流:22(mA)
耗散功率:22(mW)

IR原装集成块场效应管 G4PF50W  IRG4PF50WPBF

 

IR原装集成块场效应管 G4PF50W  IRG4PF50WPBF

 

G4PF50W  IRG4PF50WPBF产品规格  参数

 

 

数据列表 IRG4PF50WPbF
 
产品相片 TO-247-3
 
产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor TO-247AC
 
标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
 
电压 - 集电极发射极击穿() 900V
 
Vge, Ic时的Vce(开) 2.7V @ 15V, 28A
 
电流 - 集电极 (Ic)() 51A
 
功率 - 200W
 
输入类型 标准型
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 TO-247AC
 
包装 散装
 
产品目录页面 1516 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRG4PF50WPBF
 

 

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈义伟
  • 电话:
  • 传真:
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信息内容:

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