INFINEON英飞凌场效应管 11N80C3 SPA11N80C3
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | 11N80C3 SPA11N80C3 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | P-FET硅P沟道 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 222（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
INFINEON英飞凌场效应管 11N80C3 SPA11N80C3
INFINEON英飞凌场效应管 11N80C3 SPA11N80C3
11N80C3 SPA11N80C3产品规格 参数
数据列表 SPA11N80C3
产品相片 TO-220AB Full-Pak
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets TO-220FP
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 450 毫欧 @ 7.1A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 3.9V @ 680µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 85nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1600pF @ 100V
功率 - 41W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 PG-TO220-FP
包装 管件
产品目录页面 1615 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SP000216320
SPA11N80C3IN
SPA11N80C3X
SPA11N80C3XK
SPA11N80C3XTIN
SPA11N80C3XTIN-ND
- 所属城市：广东 深圳
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